參數(shù)資料
型號(hào)： BGF944
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： GSM900 EDGE power module
中文描述： 920 MHz - 960 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： PLASTIC, SOT-365C, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： BGF944
2003 Jun 06
4
Philips Semiconductors
Product specification
GSM900 EDGE power module
BGF944
handbook, halfpage
(dB)
MBL813
0
4
8
12
16
28.4
PL (AV) (W)
Gp
η
η
(%)
27.6
27.2
28
50
30
10
0
20
40
28.8
Fig.2
GSM EDGE power gain and efficiency as
functions of load power; typical values.
f = 940 MHz.
handbook, halfpage
(dBc)
59
MBL814
0
4
12
69
8
2
6
10
PL (AV) (W)
67
65
63
61
Fig.3
GSM EDGE ACPR at 400 kHz as a function
of load power; typical values.
f = 940 MHz.
handbook, halfpage
EVM
(%)
0
4
12
PL (AV) (W)
3
1
0
2
8
2
6
10
MBL815
Fig.4
GSM EDGE rms EVM as a function of
average load power; typical values.
f = 940 MHz.
handbook, halfpage
(%)
0
4
12
0
4
8
2
6
10
8
2
6
10
PL (AV) (W)
MBL816
Fig.5
GSM EDGE peak EVM as function of
average load power; typical values.
f = 940 MHz.
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