參數(shù)資料
型號(hào)： BFU510
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SiGe wideband transistor
中文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 6/16頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： BFU510
2003 Jun 12
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU510
handbook, halfpage
(fF)
0
0.5
VCB (V)
1
2
0
40
1.5
30
20
10
MLE141
Fig.7
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
C
= 0; f = 1 MHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
4
4
0
MLE142
1
IC (mA)
ITO
(dBm)
10
Fig.8
Third order intercept point as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V; f = 2 GHz.
handbook, halfpage
PL 1dB
(dBm)
2
4
2
0
MLE143
1
IC (mA)
10
Fig.9
Output power at 1 dB gain compression as
a function of collector current.
V
CE
= 2 V; f = 2 GHz; source and load tuned for optimum gain.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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