參數(shù)資料
型號(hào)： BFU510
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SiGe wideband transistor
中文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 5/16頁(yè)
文件大小： 112K
代理商： BFU510
2003 Jun 12
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU510
handbook, halfpage
hFE
0
5
10
15
IC (mA)
0
200
150
100
50
MLE137
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 2 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
IC
(mA)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(6)
(7)
(8)
(9)
1
2
VCE (V)
3
12
4
0
8
MLE138
(5)
Fig.4 Output characteristics; typical values.
(1) I
B
= 180
μ
A.
(2) I
B
= 160
μ
A.
(3) I
B
= 140
μ
A.
(4) I
B
= 120
μ
A.
(5) I
B
= 100
μ
A.
(6) I
B
= 80
μ
A.
(7) I
B
= 60
μ
A.
(8) I
B
= 40
μ
A.
(9) I
B
= 20
μ
A.
handbook, halfpage
fT
(GHz)
10
0
30
20
MLE139
1
IC (mA)
10
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
V
CB
= 1 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
gain
(dB)
20
10
0
10
2
30
MLE140
10
3
10
4
f (MHz)
s21
MSG
Gmax
Fig.6
Gain as a function of frequency; typical
values.
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
°
C.
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PDF描述
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