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參數(shù)資料
| 型號： | BFU510 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SiGe wideband transistor |
| 中文描述： | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-4 |
| 文件頁數(shù)： | 13/16頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | BFU510 |
2003 Jun 12
13
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU510
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU540 | NPN SiGe wideband transistor |
| BGE788 | CATV amplifier module |
| BGE883BO | RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 1.5A 50V 50A-ifsm 1V-vf 50ns 5uA-ir DO-15 5K/REEL-13 |
| BGF844 | GSM800 EDGE power module |
| BGF944 | GSM900 EDGE power module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFU520AR | 功能描述:TRANS RF NPN 12V 30MA SOT23-3 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:0.7dB @ 900MHz 增益:18dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標準包裝:1 |
| BFU520AVL | 功能描述:RF Transistor NPN 12V 30mA 10GHz 450mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 1.8GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標準包裝:10,000 |
| BFU520AW,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BFU520R | 功能描述:TRANS RF NPN 12V 30MA SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:0.65dB @ 900MHz 增益:20dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:1 |
| BFU520VL | 功能描述:RF Transistor NPN 12V 30mA 10.5GHz 450mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz 增益:17.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:10,000 |
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