參數(shù)資料
型號： BFT25A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistor
封裝： BFT25A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFT25A/C<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-fre
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代理商： BFT25A
BFT25A
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Product data sheet
Rev. 5 — 12 September 2011
6 of 15
NXP Semiconductors
BFT25A
NPN 5 GHz wideband transistor
V
CE
= 1 V.
Minimum noise figure as a function of
collector current.
V
CE
= 1 V.
Fig 9.
Fig 10. Minimum noise figure as a function of
frequency.
4
2
1
0
10
1
3
mcd145
1
10
F
(dB)
I
C
(mA)
f =
2 GHz
1 GHz
500 MHz
4
2
1
0
10
2
3
mcd146
10
3
10
4
F
(dB)
f (MHz)
I
C
=
2 mA
1 mA
0.5 mA
See
Table 8
;
Z
o
= 50
.
Average gain parameter: MSG = 14.5 dB.
Fig 11. Noise circle figure.
mcd108
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1
2
5
10
10
0
5
0.5
0.2
2
1
10
+
j
j
∞
stability
circle
pot. unst.
region
F
min
= 1.9 dB
Γ
opt
11 dB
6 dB
4 dB
MSG
14.5 dB
13 dB
2.5 dB
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BFT25A,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 5V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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