參數(shù)資料
型號： BFT25A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistor
封裝： BFT25A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFT25A/C<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-fre
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代理商： BFT25A
BFT25A
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Product data sheet
Rev. 5 — 12 September 2011
4 of 15
NXP Semiconductors
BFT25A
NPN 5 GHz wideband transistor
Figure 5
,
6
,
7
and
8
, G
UM
= maximum unilateral power gain; MSG = maximum stable gain.
V
CE
= 1 V.
DC current gain as a function of collector
current.
Fig 1.
Power derating curve.
Fig 2.
0
50
100
200
40
30
10
0
20
mbg247
150
P
tot
(mW)
T
s
(
°
C)
mcd138
0
100
20
40
60
80
h
FE
I
C
(mA)
10
2
10
3
10
1
1
10
I
C
= i
c
= 0 A; f = 1 MHz.
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage.
V
CE
= 1 V; T
amb
= 25
C; f = 500 MHz.
Transition frequency as a function of collector
current.
Fig 3.
Fig 4.
0
5
0.4
0.3
0.1
0
0.2
mcd103
1
2
3
4
C
re
(pF)
V
CB
(V)
0
6
4
2
0
1
2
4
mcd140
3
I
C
(mA)
f
T
(GHz)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFT25A,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 5V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFT25A_04 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistor
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