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參數(shù)資料
| 型號： | BFT25A |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFT25A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFT25A/C<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-fre |
| 文件頁數(shù)： | 3/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | BFT25A |
BFT25A
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 12 September 2011
3 of 15
NXP Semiconductors
BFT25A
NPN 5 GHz wideband transistor
6. Thermal characteristics
Table 6.
Symbol
R
th(j-s)
[1]
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
7. Characteristics
Table 7.
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
I
CBO
collector cut-off
current
h
FE
DC current gain
f
T
transition
frequency
[1]
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero and
Thermal characteristics
Parameter
from junction to soldering point
Conditions
Typ
Unit
K/W
[1]
260
Characteristics
Conditions
I
E
= 0 A; V
CB
= 5 V
Min
-
Typ
-
Max
50
Unit
nA
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V;
T
amb
= 25
C;
f = 500 MHz
I
C
= i
c
= 0 A; V
CB
= 1 V;
f = 1 MHz
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V;
T
amb
= 25
C; f = 1 GHz
50
3.5
80
5
200
-
GHz
C
re
feedback
capacitance
maximum
unilateral power
gain
noise figure
-
0.3
0.45
pF
G
UM
[1]
-
15
-
dB
F
=
opt
; I
C
= 0.5 mA;
V
CE
= 1 V;
T
amb
= 25
C; f = 1 GHz
=
opt
; I
C
= 1 mA;
V
CE
= 1 V;
T
amb
= 25
C; f = 1 GHz
-
1.8
-
dB
-
2
-
dB
G
UM
10 log
S
1
2
1
S
11
–
S
22
2
–
------------------------------------------------------
dB
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFT25 | NPN 2 GHz wideband transistor |
| BFT25 | NPN 2 GHz wideband transistor |
| BFT33A | NPN SILICON TRANSISTOR |
| BFT36A | PNP SILICON TRANSISTOR |
| BFT53 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFT25A T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 5V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFT25A,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 5V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFT25A_04 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFT25A215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23 |
| BFT25AT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 5V V(BR)CEO | 6.5MA I(C) | SOT-23 |
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