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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG67W |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | NPN 8 GHz wideband transistor |
| 中文描述： | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 102K |
| 代理商： | BFG67W |
August 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistor
BFG67W
BFG67W/X; BFG67W/XR
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
20
10
2.5
50
500
+150
175
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
up to T
s
= 85
°
C; see Fig.3; note 1
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
100
200
400
0
MBG248
150
Ts
o
Ptot
(mW)
200
THERMAL CHARACTERISTICS
Note to the “Limiting values” and “Thermal characteristics”
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
up to T
s
= 85
°
C; note 1
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
180
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG67X | NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管) |
| BFG67XR | NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管) |
| BFG93X | NPN 6 GHz wideband transistors(NPN 6G赫茲 寬帶晶體管) |
| BFG93 | NPN 6 GHz wideband transistors |
| BFP196T | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG67W/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistor |
| BFG67W/XR | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistor |
| BFG67X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistors |
| BFG67XR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistors |
| BFG741 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN 7 GHz WIDEBAND TRANSISTOR |
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