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參數(shù)資料
| 型號： | BFG505 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG505<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG505/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47 |
| 文件頁數(shù)： | 5/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | BFG505 |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistors
BFG505; BFG505/X
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 6 V.
handbook, halfpage
hFE
0
10
3
50
100
150
200
MRA639
10
2
10
1
1
10IC (mA)
10
2
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
C
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
Cre
(pF)
0
2
10
0.3
0.1
0
0.2
4
6
8
VCB (V)
MRA640
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current.
T
amb
= 25
°
C; f = 1 GHz.
handbook, halfpage
0
10
1
4
8
fT
(GHz)
IC (mA)
MRA641
1
10
10
2
VCE = 6 V
VCE = 3 V
Fig.6 Gain as a function of collector current.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
4
IC (mA)
8
12
0
20
MSG
GUM
15
10
5
MRA642
V
CE
= 6 V; f = 900 MHz.
G
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain;
G
max
= maximum available gain.
Rev. 04 - 22 November 2007
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFM505 | Dual NPN wideband transistor |
| BFM505 | Dual NPN wideband transistor |
| BFM505 | Dual NPN wideband transistor |
| BFN22 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG505 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG505,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG505/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| BFG505/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistors |
| BFG505/X T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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