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參數(shù)資料
| 型號： | BFG505 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG505<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG505/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47 |
| 文件頁數(shù)： | 4/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | BFG505 |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistors
BFG505; BFG505/X
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Notes
1.
2.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero and
V
CE
= 6 V; I
C
= 5 mA; R
L
= 50
; T
amb
= 25
°
C;
f
p
= 900 MHz; f
q
= 902 MHz;
measured at 2f
p
f
q
= 898 MHz and 2f
q
f
p
= 904 MHz.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
h
FE
C
e
C
c
C
re
f
T
collector cut-off current
DC current gain
emitter capacitance
collector capacitance
feedback capacitance
transition frequency
V
CB
= 6 V; I
E
= 0
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V; see Fig.3
I
C
= i
c
= 0 V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
V
CB
= 6 V; I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CB
= 6 V; f = 1 MHz; see Fig.4
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V; f = 1 GHz;
see Fig.5
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 900 MHz
I
c
= 5 mA; V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 2 GHz
I
c
= 5 mA; V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 900 MHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 1.25 mA; V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 900 MHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 900 MHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 1.25 mA; V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 2 GHz
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V; R
L
= 50
;
T
amb
= 25
°
C; f = 900 MHz
note 2
60
120
0.4
0.3
0.2
9
50
250
nA
pF
pF
pF
GHz
G
UM
maximum unilateral
power gain; note 1
20
dB
13
dB
S
21
2
insertion power gain
16
17
dB
F
noise figure
1.2
1.7
dB
1.6
2.1
dB
1.9
dB
P
L1
output power at 1 dB gain
compression
third order intercept point
4
dBm
ITO
10
dBm
G
UM
10
S
)
1
2
1
S
11
–
(
S
22
2
–
(
)
--------------------------------------------------------------
dB.
log
=
Rev. 04 - 22 November 2007
4 of 13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFM505 | Dual NPN wideband transistor |
| BFM505 | Dual NPN wideband transistor |
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| BFN22 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG505 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG505,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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| BFG505/X T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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