參數(shù)資料
型號(hào): BFG410
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN 22 GHz wideband transistor
中文描述: npn型22 GHz的寬帶晶體管
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代理商: BFG410
1998 Mar 11
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 22 GHz wideband transistor
BFG410W
Fig.10 Common emitter forward transmission coefficient (S
21
); typical values.
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V.
handbook, full pagewidth
MGG725
50
40
30
20
10
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
40 MHz
3 GHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V.
Fig.11 Common emitter reverse transmission coefficient (S
12
); typical values.
handbook, full pagewidth
MGG726
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
40 MHz
3 GHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFG410W,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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