參數(shù)資料
型號： BFG10W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN wideband transistor
封裝： BFG10W/X<SOT343N (SO4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大小： 240K
代理商： BFG10W
1995 Sep 22
8
NXP Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BFG10W/X
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A1
max
bp
c
D
E
b1
HE
Lp
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.1
1.1
0.8
0.4
0.3
0.25
0.10
0.7
0.5
2.2
1.8
1.35
1.15
e
2.2
2.0
1.3
e1
0.2
y
0.1
0.2
1.15
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
0.23
0.13
SOT343N
D
e1
A
A1
Lp
Q
detail X
c
HE
E
v
M
A
A
B
0
1
2 mm
scale
A
X
1
2
3
4
Plastic surface-mounted package; 4 leads
SOT343N
e
w
M
B
97-05-21
06-03-16
bp
y
b1
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PDF描述
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參數(shù)描述
BFG10W/X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | SOT-343
BFG10W/X T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG10W/X,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG10W/X115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BFG10W/XT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | SOT-343
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