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參數(shù)資料
| 型號： | BFG10W |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband transistor |
| 封裝： | BFG10W/X<SOT343N (SO4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,; |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | BFG10W |
1995 Sep 22
5
NXP Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BFG10W/X
APPLICATION INFORMATION
RF performance at T
amb
= 25
C in a common-emitter test circuit.
Ruggedness in class-AB operation
The BFG10W/X is capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR = 6 : 1 through all phases under
pulsed conditions up to a supply voltage of 8.6 V under the conditions: 900 MHz; 650 mW; t
p
= 4.6 ms; duty cycle of 1 : 8
and up to a supply voltage of 5.5 V under the conditions: 1.9 GHz; 200 mW; t
p
= 10 ms; duty cycle of 1 : 2.
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
P
L
(mW)
G
p
(dB)
c
(%)
Pulsed, class-AB, duty cycle: < 1 : 2; t
p
= 10 ms
Pulsed, class-AB, duty cycle: < 1 : 8; t
p
= 5 ms
1.9
0.9
0.9
3.6
6
6
200
650
360
5; typ. 7
10
12.5
50; typ. 60
50
50
Pulsed, class-AB operation.
V
CE
= 3.6 V; f = 1.9 GHz; duty cycle < 1 : 2.
Circuit optimized for P
L
= 200 mW.
Fig.4
Power gain and efficiency as functions
of load power; typical values.
handbook, halfpage
(dB)
0
500
0
2
MLC820
4
6
8
100
0
20
40
60
80
100
200
300
400
Gp
PL
c
(%)
η
c
η
Fig.5
Power gain and efficiency as functions
of load power; typical values.
Pulsed, class-AB operation.
V
CE
= 6 V; f = 900 MHz; duty cycle < 1 : 8.
Circuit optimized for P
L
= 600 mW.
handbook, halfpage
(dB)
0.3
0
MBG194
4
8
12
80
20
20
40
60
0.5
0.7
0.9
1.1
Gp
PL
c
(%)
η
c
η
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG10W | NPN wideband transistor |
| BFG10 | NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG10 | NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG10W/X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | SOT-343 |
| BFG10W/X T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10W/X,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10W/X115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BFG10W/XT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | SOT-343 |
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