參數(shù)資料
型號(hào)： BFG10W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN wideband transistor
封裝： BFG10W/X<SOT343N (SO4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
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代理商： BFG10W
1995 Sep 22
7
NXP Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BFG10W/X
List of components (see Fig.
6
)
Notes
1.
2.
3.
V
BE
at 1 mA must be 0.65 V.
American Technical Ceramics type 100A or capacitor of same quality.
Resonant at 1900 MHz.
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
DIMENSIONS
CATALOGUE No.
TR1
C1, C6, C7, C8
C2
C3
C4
C5
C9, C10
L1, L2
R1, R2
R3, R4
bias transistor, BC548 or equivalent
capacitor; notes 2 and 3
capacitor; note 2
capacitor; note 2
capacitor; note 2
capacitor; note 2
Philips capacitor
RF choke, Philips
metal film resistor
metal film resistor
note 1
24 pF
0.4 pF
2.4 pF
0.5 pF
1.2 pF
1500
F, 10 V
2222 032 14152
4330 030 36301
75
10
Fig.7 Class-AB test circuit at f = 1.9 GHz.
handbook, full pagewidth
MBG429
DUT
+
Vbias
R1
R2
L1
C7
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C8
C9
L2
C10
TR1
+
VCC
PCB RT5880, thickness 0.79 mm.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG10W NPN wideband transistor
BFG10 NPN 2 GHz RF power transistor
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參數(shù)描述
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BFG10W/X T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG10W/X,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG10W/X115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BFG10W/XT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | SOT-343
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