參數(shù)資料
型號： BFG10
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 2 GHz RF power transistor
封裝： BFG10<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG10/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47,
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大小： 257K
代理商： BFG10
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG10; BFG10/X
PACKAGE OUTLINE
Fig.9 SOT143.
Dimensions in mm.
handbook, full pagewidth
MBC845
10
max
o
10
max
o
30
max
o
1.1
max
0.75
0.60
0.150
0.090
0.1
max
4
3
2
M
0.1
A B
0
0.1
0.48
TOP VIEW
1.4
1.2
2.5
max
3.0
2.8
M
0.2
A B
A
B
1.9
1
0
0.1
0.88
1.7
Rev. 05 - 22 November 2007
9 of 11
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PDF描述
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BFG10/X,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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