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參數資料
| 型號： | BFG10 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor |
| 封裝： | BFG10<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG10/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, |
| 文件頁數： | 7/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | BFG10 |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG10; BFG10/X
List of components used in test circuit
(see Fig.7)
Notes
1.
2.
American Technical Ceramics (ATC) capacitor, type 100A or other capacitor of the same quality.
The striplines are on a
1
32
inch double copper-clad printed-circuit board with PTFE fibre-glass dielectric (
ε
r
= 6).
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
DIMENSIONS
CATALOGUE No.
C1, C9, C10, C11
C2, C3, C4, C5,
C6, C7
C8
C12, C13
C14, C15, C16
L1
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
24 pF
0.86 pF
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
electrolytic capacitor
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
stripline; note 2
1.1 pF
470
μ
F; 10 V
10 nF
2222 031 34471
length 28.5 mm
width 0.93 mm
length 2.3 mm
width 0.93 mm
length 3.1 mm
width 0.93 mm
length 3.3 mm
width 0.93 mm
length 16.3 mm
width 0.93 mm
length 10 mm
width 0.93 mm
length 4.4 mm
width 0.4 mm
length 19.3 mm
width 0.93 mm
length 19.7 mm
width 0.4 mm
L2
stripline; note 2
L3
stripline; note 2
L4
stripline; note 2
L5
stripline; note 2
L6
stripline; note 2
L7
stripline; note 2
L8
stripline; note 2
L9
stripline; note 2
L10
T1
R1
R2
micro choke
BD228
metal film resistor
metal film resistor
20
;
0.4 W
530
;
0.4 W
2322 157 10209
2322 157 15301
Rev. 05 - 22 November 2007
7 of 11
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG310W | NPN 14 GHz wideband transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFG10,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| BFG10/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG10/X,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
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