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參數(shù)資料
| 型號： | BFG10 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor |
| 封裝： | BFG10<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG10/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | BFG10 |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG10; BFG10/X
Fig.8 Printed-circuit board and component lay-out for common-emitter test circuit in Fig.7.
Dimensions in mm.
The components are situated on one side of the copper-clad PTFE microfibre-glass board, the other side is not etched and
serves as a ground plane. Earth connections from the component side to the ground plane are made by through metallization.
handbook, full pagewidth
MLC823
Collector
Base
Collector
Base
70
60
C1
C2
C3
C5
C6
C7 C8
R2
L1
L2 L3
C9
C10
L6
C11
C12
R1
T1
C13
V
C14
C15
C16
C4
L4
L5
L7
L8
L10
L9
bias
VS
Rev. 05 - 22 November 2007
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
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| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BFG10/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| BFG10/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG10/X,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
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