參數(shù)資料
型號： BF996S
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
中文描述： N.頻道雙柵MOS - Fieldeffect四極管，耗盡型
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 133K
代理商： BF996S
BF996S
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
7 (8)
Document Number 85010
Dimensions in mm
96 12240
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF996SB N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF996SA N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF998 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF998RBW N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF998R RES,Metal Glaze,33.2Ohms,200WV,1+/-% Tol,-100,100ppm-TC,1210-Case RoHS Compliant: No
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF996S T/R 功能描述:MOSFET TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BF996S,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF996S,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BF996S Series 20 V 30 mA N-channel Dual-gate MOS-FET - SOT143B
BF996SA 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF996SB 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
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