參數(shù)資料
型號(hào)： BF996S
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
中文描述： N.頻道雙柵MOS - Fieldeffect四極管，耗盡型
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 133K
代理商： BF996S
BF996S
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
5 (8)
Document Number 85010
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
V
DS
– Drain Source Voltage ( V )
12856
C
o
V
G2S
=4V
f=1MHz
Figure 7. Output Capacitance vs. Drain Source Voltage
–60
–50
–40
–30
–20
–10
0
10
–2.0 –1.5 –1.0 –0.5 0.0
V
G1S
– Gate 1 Source Voltage ( V )
Figure 8. Transducer Gain vs. Gate 1 Source Voltage
0.5
1.0
1.5
2.0
12855
S
2
2
4V
3V
0
2V
1V
f=200MHz
–0.2V
–0.4V
V
G2S
=–1V
–0.8V
–0.6V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
D
– Drain Current ( mA )
12850
V
DS
=15V
f=1MHz
4V
3V
2V
1V
0.5V
V
G2S
=0
y
2
Figure 9. Forward Transadmittance vs. Drain Current
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Re (y
11
) ( mS )
12857
I
1
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
700MHz
1100MHz
500MHz
900MHz
300MHz
f=1300MHz
100MHz
Figure 10. Short Circuit Input Admittance
–25
–20
–15
–10
–5
0
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
Re (y
21
) ( mS )
12858
I
2
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
f=100...1300MHz
f=100MHz
1300MHz
500MHz
300MHz
1100MHz
900MHz
700MHz
I
D
=5mA
10mA
15mA
Figure 11. Short Circuit Forward Transfer Admittance
0
1
2
3
4
5
6
7
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Re (y
22
) ( mS )
12859
I
2
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
f=1300MHz
900MHz
500MHz
300MHz
100MHz
700MHz
1100MHz
Figure 12. Short Circuit Output Admittance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF996SB N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF996SA N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF998 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF998RBW N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF998R RES,Metal Glaze,33.2Ohms,200WV,1+/-% Tol,-100,100ppm-TC,1210-Case RoHS Compliant: No
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參數(shù)描述
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BF996S,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF996S,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BF996S Series 20 V 30 mA N-channel Dual-gate MOS-FET - SOT143B
BF996SA 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF996SB 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
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