參數(shù)資料
型號： BF620
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 34K
代理商： BF620
SOT89 NPN SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 5 – MARCH 2001
FEATURES
*
High breakdown and low saturation voltages
APPLICATIONS
*
Suitable for video output stages in TV sets
*
Switching power supplies
COMPLEMENTARY TYPE:
BF621
PARTMARKING DETAIL –
DC
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
300
V
Collector-Emitter Voltage
300
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
100
mA
Continuous Collector Current
50
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
1
W
-65 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
300
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
300
V
I
C
=1mA, I
B
=0*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off Current
I
CBO
10
20
nA
μ
A
nA
μ
A
μ
A
V
V
CB
=200V, I
E
=0
V
CB
=200V, I
E
=0
V
CE
=200V, R
BE
=2.7K
V
CE
=200V, R
BE
=2.7K
V
EB
=5V, I
C
=0
I
C
=30mA, I
B
=5mA*
Colector Cut-Off Current
I
CER
50
10
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
10
Collector-Emitter
Saturation Voltage
0.6
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.9
V
I
C
=20mA, I
B
=2mA*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
50
I
C
=25mA, V
CE
=20V*
Transition Frequency
f
T
100 Typical
MHz
I
=10mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
0.8 Typical
pF
V
CB
=30V, f=1MHz
T
=150°C
*Measured under pulsed conditions.
For typical characteristics graphs see FMMTA42 datasheet.
BF620
C
C
B
E
SOT89
TBA
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PDF描述
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