參數(shù)資料
型號(hào)： BFQ31A
廠商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 36K
代理商： BFQ31A
SOT23 NPN SILICON PLANAR
VHF/UHF TRANSISTOR
ISSUE 4 – MARCH 2001
PARTMARKING DETAILS
BFQ31A – S4
BFQ31AR – S5
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
30
V
Collector-Emitter Voltage
15
V
Emitter-Base Voltage
3
V
Continuous Collector Current
100
mA
Base Current
50
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
330
mW
-55 to +150
°C
BFQ31A
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
30
V
I
C
=1.0
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
15
V
I
C
=3mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
3
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
0.01
μ
A
V
CB
=15V, I
E
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.4
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.0
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
100
I
C
=3mA, V
CE
=1V
Transition
Frequency
f
T
600
MHz
I
=4mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
C
ibo
N
1.7
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
V
CB
=0.5V, f=1MHz
I
C
=1mA, V
=6V
R
s
=400
, f=60MHz
Input Capacitance
2.0
pF
Noise Figure
6.0
dB
*Measured under pulsed conditions.
Spice parameter data is available upon request for this device
BFQ31A
C
B
E
TBA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFQ31AR NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR
BFR98 VHF OSCILLATOR POWER AMPLIFIER
BFW16 CATV-MATV AMPLIFIERS
BFW17 SPDT SUBMINIATURE POWER RELAY
BFW16A CATV-MATV AMPLIFIERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFQ31AR 制造商:ZETEX 制造商全稱(chēng):ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR
BFQ31ATA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BFQ31ATC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BFQ31R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
BFQ31TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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