參數(shù)資料
型號： BF621
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 50 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 34K
代理商： BF621
SOT89 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 3 – MARCH 2001
FEATURES
*
High breakdown and low saturation voltage
APPLICATIONS
*
Suitable for video output stages in TV sets
*
Switching power supplies
COMPLEMENTARY TYPE –
BF620
PARTMARKING DETAIL –
DF
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-300
V
Collector-Emitter Voltage
-300
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-100
mA
Continuous Collector Current
-50
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
-1
W
-65 to +150
°C
MIN.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-300
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-300
V
I
C
=-1mA, I
B
=0*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-10
-20
nA
μ
A
nA
μ
A
μ
A
V
V
CB
=-200V, I
E
=0
V
CB
=-200V, I
E
=0
V
CE
=-200V, R
BE
=2.7K
V
CE
=-200V, R
BE
=2.7K
V
EB
=-5V, I
C
=0
I
C
=-30mA, I
B
=-5mA*
Colector Cut-Off Current
I
CER
-50
-10
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
-10
Collector-Emitter Saturation
Voltage
-0.6
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
h
FE
-0.9
V
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-25mA, V
CE
=-20V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
50
Transition Frequency
f
T
100 Typical
MHz
I
=-10mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
0.8 Typical
pF
V
CB
=-30V, f=1MHz
T
=150°C
*Measured under pulsed conditions.
For typical characteristics graphs see FMMTA92 datasheet.
BF621
C
C
B
E
SOT89
TBA
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BF622 制造商:HTSEMI 制造商全稱:Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 功能描述:TRANSISTOR (NPN)
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