參數(shù)資料
型號(hào)： BDV65B
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
封裝： PLASTIC, CASE 340D-02, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： BDV65B
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
OFF CHARACTERISTICS
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
—
0.4
Collector Cutoff Current
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
—
mAdc
1.0
(VCB = 50 Vdc, IE = 0, TC = 150 C)
hFE
—
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ON CHARACTERISTICS
(IC = 5.0 Adc, IB = 0.02 Adc)
DC Current Gain
1000
—
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BDW51C Bipolar NPN Device
BDW52A Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDW52 Power Transistors
BDY91 Power Transistors
BDY92 Power Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BDV65B/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons
BDV65B_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons
BDV65B_08 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons
BDV65BG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDV65B-S 功能描述:達(dá)林頓晶體管 100V 12A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*