參數(shù)資料
型號(hào): BD533FP
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
中文描述: 互補(bǔ)硅功率晶體管(互補(bǔ)硅功率晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 33K
代理商: BD533FP
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
B
2.5
2.7
0.098
0.106
D
2.5
2.75
0.098
0.108
E
0.45
0.7
0.017
0.027
F
0.75
1
0.030
0.039
F1
1.15
1.7
0.045
0.067
F2
1.15
1.7
0.045
0.067
G
4.95
5.2
0.195
0.204
G1
2.4
2.7
0.094
0.106
H
10
10.4
0.393
0.409
L2
16
0.630
L3
28.6
30.6
1.126
1.204
L4
9.8
10.6
0.385
0.417
L6
15.9
16.4
0.626
0.645
L7
9
9.3
0.354
0.366
3
3.2
0.118
0.126
L2
A
B
D
E
H
G
L6
ˉ
F
L3
G
1 2 3
F
F
L7
L4
TO-220FP MECHANICAL DATA
BD533FP / BD534FP
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD534FP Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
BD537 Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
BD536 Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
BD678A COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BD670 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD533J 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD533K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB
BD534 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD5340 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:VOLTAGE DETECTOR IC with adjustable delay time
BD5340FVE 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Voltage Detector IC with Adjustable Output Delay