參數(shù)資料
型號(hào)： BD533FP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
中文描述： 互補(bǔ)硅功率晶體管（互補(bǔ)硅功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 33K
代理商： BD533FP
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
5.1
70
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CB
= 45 V
100
μ
A
I
CES
V
CE
= 45 V
100
μ
A
I
EBO
V
EB
= 5 V
1
mA
I
C
= 100 mA
45
V
I
C
= 2 A
I
C
= 6 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.6 A
0.8
0.8
V
V
V
BE
h
FE
Base-Emitter Voltage
I
C
= 2 A
V
CE
= 2 V
1.5
V
DC Current Gain
I
C
= 10 mA
I
C
= 500 mA
I
C
= 2 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
20
40
25
f
T
Transition frequency
I
C
= 500 mA
V
CE
= 1 V
3
12
MHz
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
For PNP types voltage and current values are negative.
Safe OperatingAreas
BD533FP / BD534FP
2/4
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PDF描述
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參數(shù)描述
BD533J 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD533K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB
BD534 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD5340 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:VOLTAGE DETECTOR IC with adjustable delay time
BD5340FVE 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Voltage Detector IC with Adjustable Output Delay
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