參數(shù)資料
型號： BCW66HR
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 800 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 39K
代理商： BCW66HR
SOT23 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 - MARCH 2001
PARTMARKING DETAILS –
BCW66F –
EF
BCW66G –
EG
BCW66H –
EH
BCW66FR –
BCW66GR – 5T
BCW66HR – 7M
7P
COMPLEMENTARY TYPE – BCW68
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
75
V
Collector-Emitter Voltage
45
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Continuous Collector Current
800
mA
Peak Collector Current(10ms)
1000
mA
Base Current
100
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
BCW66
C
B
E
SOT23
TBA
相關PDF資料
PDF描述
BCW66 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW66F Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW66G Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW66H RESISTOR, 560, 5%, 200V, 1/8W, FILM
BCW70 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BCW66HRTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW66HRTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW66HTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW66HTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW66HVL 功能描述:BCW66HSOT23TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB 標準包裝:1
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