| 型號(hào): | BCW70 |
| 廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述: | SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS |
| 中文描述: | 小信號(hào)PNP晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
| 文件大小: | 38K |
| 代理商: | BCW70 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW70 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| BCW70 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW70 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
| BCW70LT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BCX52 | SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW70 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW70,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW70,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW70 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
| BCW70/E8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |