參數(shù)資料
型號： BCW66G
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： BCW66G
SOT23 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 - MARCH 2001
PARTMARKING DETAILS –
BCW66F –
EF
BCW66G –
EG
BCW66H –
EH
BCW66FR –
BCW66GR – 5T
BCW66HR – 7M
7P
COMPLEMENTARY TYPE – BCW68
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
75
V
Collector-Emitter Voltage
45
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Continuous Collector Current
800
mA
Peak Collector Current(10ms)
1000
mA
Base Current
100
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
BCW66
C
B
E
SOT23
TBA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW66H RESISTOR, 560, 5%, 200V, 1/8W, FILM
BCW70 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
BCW70 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
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BCW70 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
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參數(shù)描述
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BCW66G_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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BCW66GE6433 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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