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參數(shù)資料
| 型號： | BCV62A |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP general-purpose double transistors |
| 中文描述： | PNP 通用雙晶體管 |
| 封裝： | BCV62<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 2002,;BCV62<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 20 |
| 文件頁數(shù)： | 5/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 145K |
| 代理商： | BCV62A |
BCV62
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 26 July 2010
5 of 14
NXP Semiconductors
BCV62
PNP general-purpose double transistors
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 1.
BCV62A: DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 2.
BCV62A: Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 3.
BCV62A: Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 4.
BCV62A: Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
mgt711
0
10
2
200
300
400
500
h
FE
100
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
mgt712
0
1200
1000
800
600
400
200
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgt713
10
4
10
3
10
2
10
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgt714
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
V
BEsat
(mV)
1000
800
600
400
200
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCV62C | PNP general-purpose double transistors |
| BCV71 | NPN general purpose transistors |
| BCW60C | NPN general purpose transistors |
| BCW66H | NPN Small Signal Transistor 330mW |
| BCW68G | PNP Small Signal Transistor 330mW |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCV62A,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCV62AE6327 | 制造商:Infineon 功能描述:30V,.1A,PNP Double Transistor 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:30V,.1A,PNP Double Transistor |
| BCV62AE6327HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR PNP DOUBLE SOT-143 |
| BCV62AL6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:GREEN, AF TRANSISTORS |
| BCV62AT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | ARRAY | BLDG BLOCK | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-143 |
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