參數(shù)資料
型號： BCV61B
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN general-purpose double transistors
中文描述： NPN 通用雙晶體管
封裝： BCV61<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 2002,;BCV61<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 20
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 138K
代理商： BCV61B
BCV61_4
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 18 December 2009
6 of 13
NXP Semiconductors
BCV61
NPN general-purpose double transistors
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 5.
BCV61B: DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 6.
BCV61B: Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 7.
BCV61B: Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 8.
BCV61B: Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
mgt727
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
0
600
h
FE
500
400
300
200
100
(1)
(2)
(3)
0
10
2
1200
1000
800
600
400
200
mgt728
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
10
4
10
3
10
2
10
10
1
mgt729
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgt730
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
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