參數(shù)資料
型號: BCV61B
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN general-purpose double transistors
中文描述: NPN 通用雙晶體管
封裝: BCV61<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 2002,;BCV61<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 20
文件頁數(shù): 11/13頁
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代理商: BCV61B
BCV61_4
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 18 December 2009
11 of 13
NXP Semiconductors
BCV61
NPN general-purpose double transistors
12. Revision history
Table 9.
Document ID
BCV61_4
Modifications:
Revision history
Release date
20091218
The format of this data sheet has been redesigned to comply with the new identity
guidelines of NXP Semiconductors.
Legal texts have been adapted to the new company name where appropriate.
Section 3 “Ordering information”
: added
Section 4 “Marking”
: updated
Figure 1
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2
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3
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6
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8
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9
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10
,
11
and
12
: added
Section 8 “Test information”
: added
Figure 16
: superseded by minimized package outline drawing
Section 10 “Packing information”
: added
Section 11 “Soldering”
: added
Section 13 “Legal information”
: updated
19990408
Product specification
19970616
Product specification
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BCV61_3
BCV61_3
BCV61_CNV_2
-
-
BCV61_CNV_2
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BCV71 NPN general purpose transistors
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCV61B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MATCHED PAIR TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCV61B T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCV61B,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCV61B,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MATCHED PAIR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
bcv61b215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DUAL NPN 30V SOT 制造商:NXP 功能描述: