參數(shù)資料
型號： BCV61B
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN general-purpose double transistors
中文描述： NPN 通用雙晶體管
封裝： BCV61<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 2002,;BCV61<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 20
文件頁數(shù)： 2/13頁
文件大小： 138K
代理商： BCV61B
BCV61_4
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 18 December 2009
2 of 13
NXP Semiconductors
BCV61
NPN general-purpose double transistors
3.
Ordering information
Table 3.
Type number
4.
Marking
Table 4.
Type number
BCV61
BCV61A
BCV61B
BCV61C
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
5.
Limiting values
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Per transistor
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBS
emitter-base voltage
I
C
collector current
I
CM
peak collector current
I
BM
peak base current
Per device
P
tot
total power dissipation
T
j
junction temperature
T
amb
ambient temperature
T
stg
storage temperature
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB).
Ordering information
Package
Name
-
Description
plastic surface-mounted package; 4 leads
Version
SOT143B
BCV61
BCV61A
BCV61B
BCV61C
Marking codes
Marking code
[1]
1M*
1J*
1K*
1L*
Limiting values
Conditions
Min
Max
Unit
open emitter
open base
V
CE
= 0 V
-
-
-
-
-
-
30
30
6
100
200
200
V
V
V
mA
mA
mA
T
amb
≤
25
°
C
[1]
-
250
150
+150
+150
mW
°
C
°
C
°
C
-
65
65
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCV62A PNP general-purpose double transistors
BCV62C PNP general-purpose double transistors
BCV71 NPN general purpose transistors
BCW60C NPN general purpose transistors
BCW66H NPN Small Signal Transistor 330mW
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCV61B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MATCHED PAIR TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCV61B T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCV61B,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCV61B,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MATCHED PAIR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
bcv61b215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DUAL NPN 30V SOT 制造商:NXP 功能描述:
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