- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄381574 > BCW66G (意法半導體) SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BCW66G |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS |
| 中文描述： | 小信號NPN晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | BCW66G |
SOT23 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 - MARCH 2001
PARTMARKING DETAILS –
BCW66F –
EF
BCW66G –
EG
BCW66H –
EH
BCW66FR –
BCW66GR – 5T
BCW66HR – 7M
7P
COMPLEMENTARY TYPE – BCW68
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
75
V
Collector-Emitter Voltage
45
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Continuous Collector Current
800
mA
Peak Collector Current(10ms)
1000
mA
Base Current
100
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
BCW66
C
B
E
SOT23
TBA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW66H | SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS |
| BCW66F | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BCW66FR | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BCW66G | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BCW66GR | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW66G/E8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| BCW66G/E9 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| BCW66G_D87Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW66GE6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
| BCW66GE6433 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。