參數(shù)資料
型號(hào)： BCP52-10
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
中文描述： 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大小： 115K
代理商： BCP52-10
BCP52_BCX52_8
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 08 — 25 February 2008
9 of 12
NXP Semiconductors
BCP52; BCX52
60 V, 1 A PNP medium power transistors
8.
Package outline
9.
Packing information
[1]
For further information and the availability of packing methods, see
Section 12
.
[2]
Valid for all available selection groups.
[3]
T1: normal taping
[4]
T3: 90
°
rotated taping
Fig 12. Package outline SOT223 (SC-73)
Fig 13. Package outline SOT89 (SC-62/TO-243)
04-11-10
Dimensions in mm
6.7
6.3
3.1
2.9
1.8
1.5
7.3
6.7
3.7
3.3
1.1
0.7
1
3
2
4
4.6
2.3
0.8
0.6
0.32
0.22
06-08-29
Dimensions in mm
4.6
4.4
1.8
1.4
1.6
1.4
1.2
0.8
3
1.5
0.48
0.35
0.44
0.23
0.53
0.40
2.6
2.4
4.25
3.75
1
2
3
Table 9.
The indicated -xxx are the last three digits of the 12NC ordering code.
[1]
Type number
[2]
Package
Description
Packing methods
Packing quantity
1000
-115
4000
-135
-135
-
BCP52
BCX52
SOT223
SOT89
8 mm pitch, 12 mm tape and reel
8 mm pitch, 12 mm tape and reel; T1
8 mm pitch, 12 mm tape and reel; T3
[3]
-115
[4]
-120
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCP52-16
BCX52
BCX52-10
BCX52-16
BCP54
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCP52-10 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP52-10,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP52-10E6327 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BCP5210E6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BCP5210TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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