參數(shù)資料
型號： BCP52-10
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
中文描述： 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 115K
代理商： BCP52-10
BCP52_BCX52_8
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 08 — 25 February 2008
10 of 12
NXP Semiconductors
BCP52; BCX52
60 V, 1 A PNP medium power transistors
10. Revision history
Table 10.
Document ID
BCP52_BCX52_8
Modifications:
Revision history
Release date
20080225
Type numbers BC638 and BC638-16 have been removed
Figure 9
: amended
20070626
Product data sheet
20060329
Product data sheet
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BC638_BCP52_BCX52_7
BC638_BCP52_BCX52_7
BC638_BCP52_BCX52_6
-
-
BC638_BCP52_BCX52_6
BC636_638_640_5
BCP51_52_53_5
BCX51_52_53_4
BC636_638_640_4
BCP51_52_53_4
BCX51_52_53_3
BC636_638_640_5
BCP51_52_53_5
BCX51_52_53_4
20041011
20030206
20011010
Product specification
Product specification
Product specification
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-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCP52-16
BCX52
BCX52-10
BCX52-16
BCP54
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCP52-10 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP52-10,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP52-10E6327 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BCP5210E6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BCP5210TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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