參數(shù)資料
型號： BCP52-10
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
中文描述： 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 115K
代理商： BCP52-10
BCP52_BCX52_8
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 08 — 25 February 2008
5 of 12
NXP Semiconductors
BCP52; BCX52
60 V, 1 A PNP medium power transistors
FR4 PCB, standard footprint
Fig 3.
Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration for SOT223;
typical values
FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm
2
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration for SOT223;
typical values
006aaa223
10
1
10
2
10
3
Z
th(j-a)
(K/W)
10
1
10
5
10
10
2
10
4
10
2
10
1
t
p
(s)
10
3
10
3
1
0
duty cycle =
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
006aaa817
10
1
10
2
10
3
Z
th(j-a)
(K/W)
10
1
10
5
10
10
2
10
4
10
2
10
1
t
p
(s)
10
3
10
3
1
duty cycle =
0.01
0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.33
0.5
1.0
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BCP52-10,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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