參數(shù)資料
型號： BCM856BS
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP-PNP matched double transistors
中文描述： PNP-PNP 匹配雙晶體管
封裝： BCM856BS<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BCM856DS<SOT457 (TSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT457.html<1<Always Pb-f
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代理商： BCM856BS
BCM856BS_BCM856DS_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 7 August 2008
6 of 14
NXP Semiconductors
BCM856BS; BCM856DS
PNP/PNP matched double transistors
T
amb
= 25
°
C
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 2.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 1.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 3.
Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 4.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aaa540
V
CE
(V)
0
10
8
4
6
2
0.08
0.12
0.04
0.16
0.20
I
C
(A)
0
0.25
I
B
(mA) =
2.5
0.5
0.75
1.0
1.25
1.5
1.75
2.0
2.25
006aaa541
200
400
600
h
FE
0
10
2
I
C
(mA)
10
3
10
2
10
1
10
1
(1)
(2)
(3)
006aaa542
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
0.5
0.9
1.3
0.3
0.7
1.1
V
BEsat
(V)
0.1
(1)
(2)
(3)
006aaa543
1
10
1
10
V
CEsat
(V)
10
2
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
(1)
(2)
(3)
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