參數(shù)資料
型號： BCM856BS
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP-PNP matched double transistors
中文描述： PNP-PNP 匹配雙晶體管
封裝： BCM856BS<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BCM856DS<SOT457 (TSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT457.html<1<Always Pb-f
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代理商： BCM856BS
BCM856BS_BCM856DS_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 7 August 2008
4 of 14
NXP Semiconductors
BCM856BS; BCM856DS
PNP/PNP matched double transistors
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
7.
Characteristics
Table 7.
Symbol Parameter
Per transistor
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to
ambient
BCM856BS (SOT363)
BCM856BS/DG (SOT363)
BCM856DS (SOT457)
BCM856DS/DG (SOT457)
Per device
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to
ambient
BCM856BS (SOT363)
BCM856BS/DG (SOT363)
BCM856DS (SOT457)
BCM856DS/DG (SOT457)
Thermal characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
in free air
[1]
-
-
625
K/W
[1]
-
-
500
K/W
in free air
[1]
-
-
416
K/W
[1]
-
-
328
K/W
Table 8.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Per transistor
I
CBO
collector-base cut-off
current
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CB
=
30 V;
I
E
= 0 A
V
CB
=
30 V;
I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V;
I
C
= 0 A
V
CE
=
5 V;
I
C
=
10
μ
A
V
CE
=
5 V;
I
C
=
2 mA
I
C
=
10 mA;
I
B
=
0.5 mA
I
C
=
100 mA;
I
B
=
5 mA
I
C
=
10 mA;
I
B
=
0.5 mA
I
C
=
100 mA;
I
B
=
5 mA
-
-
15
nA
-
-
5
μ
A
I
EBO
emitter-base cut-off
current
DC current gain
-
-
100
nA
h
FE
-
250
-
200
290
450
V
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
-
50
200
mV
-
200
400
mV
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
[1]
-
760
-
mV
[1]
-
920
-
mV
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCM856DS PNP-PNP matched double transistors
BCP28 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCP48 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCP29 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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