參數(shù)資料
型號(hào)： BC860B
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： BC860B
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1998 Jul 16
1999 May 28
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC859; BC860
PNP general purpose transistors
book, halfpage
M3D088
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC860C Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC860 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
BC860AL Automotive Fuse; Current Rating:15A; Voltage Rating:32V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Terminals:Blade; Length:18.54mm; Series:257; Fuse Size/Group:18.54 x 19.05 x 5.08mm
BC859AL FUSE 3.15A, 250V 5X20MM FAST BLO
BC860CL Leaded Cartridge Fuse; Current Rating:700mA; Voltage Rating:125V; Fuse Terminals:Radial Lead; Fuse Type:Fast Acting; Voltage Rating:125V; Body Material:Plastic Cap; Diameter:6.35mm; Leaded Process Compatible:Yes; Length:8.89mm RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC860B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC860B T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R
BC860B,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC860B,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
bc860b215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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