型號(hào): | BC859AL |
英文描述: | FUSE 3.15A, 250V 5X20MM FAST BLO |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 30V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)| SOT - 23封裝 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大小: | 76K |
代理商: | BC859AL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
BC860CL | Leaded Cartridge Fuse; Current Rating:700mA; Voltage Rating:125V; Fuse Terminals:Radial Lead; Fuse Type:Fast Acting; Voltage Rating:125V; Body Material:Plastic Cap; Diameter:6.35mm; Leaded Process Compatible:Yes; Length:8.89mm RoHS Compliant: Yes |
BC860BL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
BC859BL | Leaded Cartridge Fuse; Current Rating:8A; Voltage Rating:125V; Fuse Terminals:Axial Lead; Fuse Type:Fast Acting; Body Material:Glass; Diameter:4.5mm; Fuse Size/Group:5 x 15 mm; Leaded Process Compatible:No; Length:14.48mm |
BC859CL | Fuse Holder; Leaded Process Compatible:Yes; Terminal Type:Solder/Q.C. Terminal RoHS Compliant: Yes |
BC859 | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
BC859AMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC859AMTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC859ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC859ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC859AW RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |