參數(shù)資料
型號： BC857T
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP general purpose transistor(PNP通用型晶體管)
中文描述： 通用晶體管進步黨（民進黨通用型晶體管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： BC857T
1999 Apr 26
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistors
BC856T; BC857T
handbook, full pagewidth
0
10
1
100
200
MBH726
hFE
1
IC (mA)
10
10
3
10
2
VCE =
5 V
Fig.2 DC current gain; typical values.
BC856AT; BC857AT.
handbook, full pagewidth
0
10
2
300
200
100
MBH727
10
1
hFE
1
IC (mA)
10
10
3
10
2
VCE =
5 V
Fig.3 DC current gain; typical values.
BC856BT; BC857BT.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BC857T T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857T,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
BC857U 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:General purpose application
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