參數(shù)資料
型號(hào)： BC857T
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP general purpose transistor(PNP通用型晶體管)
中文描述： 通用晶體管進(jìn)步黨（民進(jìn)黨通用型晶體管）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： BC857T
1999 Apr 26
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistors
BC856T; BC857T
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
833
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
15
5
100
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
30 V
I
E
= 0; V
CB
=
30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
2 mA; V
CE
=
5 V
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BC856AT; BC857AT
BC856BT; BC857BT
BC857CT
collector-emitter saturation voltage
125
220
420
600
10
250
475
800
200
400
750
820
2.5
10
V
CEsat
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.5 mA
I
C
=
100 mA; I
B
=
5 mA; note 1
I
C
=
2 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
500 mV; f = 1 MHz
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V; f = 100 MHz 100
I
C
=
200
μ
A; V
CE
=
5 V; R
S
= 2 k
;
f = 1 kHz; B = 220 Hz
mV
mV
mV
mV
pF
pF
MHz
dB
V
BE
base-emitter voltage
C
c
C
e
f
T
F
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
noise figure
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC856T PNP general purpose transistors
BC858AF PNP general purpose transistors
BC858BF PNP general purpose transistors
BC858CF PNP general purpose transistors
BC857CF High Speed CMOS Logic Dual 4-Stage Binary Counter 14-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC857-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.1A 45V LN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857T T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857T,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
BC857U 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:General purpose application
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*