參數(shù)資料
型號： BC857T
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP general purpose transistor(PNP通用型晶體管)
中文描述： 通用晶體管進(jìn)步黨（民進(jìn)黨通用型晶體管）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 46K
代理商： BC857T
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jul 07
1999 Apr 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC856T; BC857T
PNP general purpose transistors
M3D173
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC856T PNP general purpose transistors
BC858AF PNP general purpose transistors
BC858BF PNP general purpose transistors
BC858CF PNP general purpose transistors
BC857CF High Speed CMOS Logic Dual 4-Stage Binary Counter 14-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC857-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.1A 45V LN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857T T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857T,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
BC857U 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:General purpose application
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