參數(shù)資料
型號(hào)： BC857CF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Speed CMOS Logic Dual 4-Stage Binary Counter 14-SOIC -55 to 125
中文描述： 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： BC857CF
1999 May 21
4
Philips Semiconductors
Preliminary specification
PNP general purpose transistors
BC856F; BC857F; BC858F series
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
in free air; note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
15
5
100
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
30 V
I
E
= 0; V
CB
=
30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
2 mA; V
CE
=
5 V
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BC856AF; BC857AF; BC858AF
BC856BF; BC857BF; BC858BF
BC857CF; BC858CF
collector-emitter saturation voltage
125
220
420
600
100
250
475
800
200
400
750
820
2.5
10
V
CEsat
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.5 mA
I
C
=
100 mA; I
B
=
5 mA; note 1
I
C
=
2 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V; f = 100 MHz
I
C
=
200
μ
A; V
CE
=
5 V; R
S
= 2 k
;
f = 1 kHz; B = 220 Hz
mV
mV
mV
mV
pF
MHz
dB
V
BE
base-emitter voltage
C
c
f
T
F
collector capacitance
transition frequency
noise figure
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC856AF High Speed CMOS Logic 4-Bit Binary Full Adder with Fast Carry 16-PDIP -55 to 125
BC856F High Speed CMOS Logic Quad Two-Input OR Gates 14-SOIC -55 to 125
BC857BF High Speed CMOS Logic Octal Positive-Edge Triggered D-Type Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -55 to 125
BC856BF PNP general purpose transistors
BC857AF High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Non-Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC857CF,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857C-GS08 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:
BC857C-HF 功能描述:TRANS PNP 45V 100MA SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:* 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BC857CL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC857CLT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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