參數(shù)資料
型號(hào)： BC856BF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP general purpose transistors
中文描述： 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： BC856BF
DATA SHEET
Preliminary specification
Supersedes data of 1998 Nov 10
1999 May 21
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC856F; BC857F; BC858F series
PNP general purpose transistors
M3D425
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC857AF High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Non-Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125
BC857F High Speed CMOS Logic 8-Stage Synchronous Down Counters 16-SOIC -55 to 125
BC858F High Speed CMOS Logic Phase-Locked-Loop with VCO 16-PDIP -55 to 125
BC856F High Speed CMOS Logic Quad Two-Input OR Gates 14-SOIC -55 to 125
BC857F High Speed CMOS Logic 8-Stage Synchronous Down Counters 16-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC856B-HF 功能描述:TRANS PNP 65V 100A SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2.2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BC856BL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC856BLT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BLT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BLT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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