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參數資料
| 型號： | BC857BF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic Octal Positive-Edge Triggered D-Type Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -55 to 125 |
| 中文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | BC857BF |
DATA SHEET
Preliminary specification
Supersedes data of 1998 Nov 10
1999 May 21
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC856F; BC857F; BC858F series
PNP general purpose transistors
M3D425
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC856BF | PNP general purpose transistors |
| BC857AF | High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Non-Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125 |
| BC857F | High Speed CMOS Logic 8-Stage Synchronous Down Counters 16-SOIC -55 to 125 |
| BC858F | High Speed CMOS Logic Phase-Locked-Loop with VCO 16-PDIP -55 to 125 |
| BC856F | High Speed CMOS Logic Quad Two-Input OR Gates 14-SOIC -55 to 125 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC857BF,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BFA-7B | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTOR X2-DFN0806-3 T&R 10K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANS PNP 45V 100MA X2-DFN0806-3 |
| BC857BFE6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000012999_AF TRANSISTORS_TR_RO |
| BC857BFE6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TSFP T/R |
| BC857BFZ-7B | 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN060 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:435mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:X2-DFN0606-3 標準包裝:1 |
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