參數(shù)資料
型號： BC856BDW1T1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Dual General Purpose Transistors(PNP Duals)
中文描述： 雙通用晶體管（民進黨對偶）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 164K
代理商： BC856BDW1T1
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
BC856b–4/5
TYPICAL PNP CHARACTERISTICS — BC857/BC858
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
-200
2.0
1.5
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 7. Normalized DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 8. “Saturation” and “On” Voltages
V
C
,
h
F
,
-1.0
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
V
-0.02
-0.05
-0.1
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
I
B
, BASE CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 10. Base–Emitter Temperature Coefficient
-0.2
-0.5
-1.0
-10
-100
-1.0
-1.4
-1.8
-2.2
-2.6
-3.0
θ
V
,
°
C
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 12. Current-Gain-Bandwidth Product
-0.5
-1.0
-2.0
-3.0
-5.0
-10
-20
-30
-50
400
300
200
150
100
80
60
40
30
20
-0.4
-0.6
-1.0
-2.0
-4.0
-6.0
-10
-20
-30 -40
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
T
,
C
BC856BDW1T1, BC857BDW1T1, BC857CDW1T1
BC858BDW1T1, BC858CDW1T1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC857CDW1T1 Dual General Purpose Transistors(PNP Duals)
BC858CDW1T1 Dual General Purpose Transistors(PNP Duals)
BC857BDW1T1 ECONOLINE: RJ & RG - Dual Output from a Single Input Rail - 3kVDC & 4kVDC Isolation - Optional Continuous Short Circuit Protected - Custom Solutions Available - UL94V-0 Package Material - Efficiency to 84%
BC858U High Speed CMOS Logic Phase-Locked-Loop with VCO 16-SOIC -55 to 125
BCD 100mA SILICON CARTRIDGE RECTIFIERS
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參數(shù)描述
BC856BDW1T1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual General Purpose Transistors
BC856BDW1T1D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors
BC856BDW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BDW1T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR PNP 65V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BDW1T3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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