參數(shù)資料
型號: BC308BJ05Z
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 55K
代理商: BC308BJ05Z
0.46
±
0.10
1.27TYP
[1.27
±
0.20
]
(R2.29)
3
1.27TYP
[1.27
±
0.20
]
3.60
±
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1
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1
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(
4
±
0
4.58
+0.25
–0.15
0.38
+0.10
0
+
TO-92
Package Demensions
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. B, January 2001
B
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC327-25 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC327J05Z 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC546RLRP 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC548B 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC557C 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BC308BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC308C 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC308C_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW NOISE AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC308CBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2