參數(shù)資料
型號： BC308BJ05Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： BC308BJ05Z
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. B, January 2001
B
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
: BC307
: BC308/309
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
: BC307
: BC308/309
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CES
Collector Cut-off Current
: BC307
: BC238/239
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
I
C
= -2mA, I
B
=0
-45
-25
V
V
I
C
= -10
μ
A, V
BE
=0
-50
-30
-5
V
V
V
I
E
= -10
μ
A, I
C
=0
V
CE
= -45V, V
BE
=0
V
CE
= -25V, V
BE
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -2mA
I
C
= -10mA, I
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA, I
B
= -5mA
I
C
= -10mA, I
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA, I
B
= -5mA
V
CE
= -5V, I
C
= -2mA
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA, f=50MHz
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1MHz
V
EB
= -0.5V, I
C
=0, f=1MHz
-2
-2
-15
-15
800
-0.3
nA
nA
120
-0.5
-0.7
-0.85
-0.62
130
V
V
V
V
V
V
BE
(sat)
Collector-Base Saturation Voltage
V
BE
(on)
f
T
C
ob
C
ib
NF
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Input Capacitance
Noise Figure
-0.55
-0.7
MHz
pF
pF
6
12
: BC237/238
: BC239
: BC239
V
CE
= -5V, I
C
= -0.2mA,
R
G
=2K
, f=1KHz
V
CE
= -5V, I
C
= -0.2mA
R
G
=2K
, f=30~15KHz
2
10
4
4
dB
dB
dB
A
B
C
120 ~ 220
180 ~ 460
380 ~ 800
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC327-25 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC327J05Z 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC546RLRP 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC548B 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC557C 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC308BTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/460 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC308BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC308C 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC308C_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW NOISE AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC308CBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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