參數(shù)資料
型號(hào)： BC327J05Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： BC327J05Z
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
B
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
: BC327
: BC328
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
: BC327
: BC328
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CES
Collector Cut-off Current
: BC307
: BC338
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
h
FE1
h
FE2
Parameter
Value
Units
: BC327
: BC328
-50
-30
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: BC327
: BC328
-45
-25
-5
-800
625
150
V
V
V
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
mA
mW
°
C
°
C
-55 ~ 150
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
I
C
= -10mA, I
B
=0
-45
-25
V
V
I
C
= -0.1mA, V
BE
=0
-50
-30
-5
V
V
V
IE= -10
μ
A, I
C
=0
V
CE
= -45V, V
BE
=0
V
CE
= -25V, V
BE
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
V
CE
= -1V, I
C
= -300mA
I
C
= -500mA, I
B
= -50mA
V
CE
= -1V, I
C
= -300mA
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA, f=20MHz
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1MHz
-2
-2
-100
-100
630
nA
nA
DC Current Gain
100
40
-0.7
-1.2
V
V
100
12
MHz
pF
16
25
40
100 ~ 250
60-
160 ~ 400
100-
250 ~ 630
170-
BC327/328
Switching and Amplifier Applications
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages
Complement to BC337/BC338
1. Collector 2. Base 3. Emitter
TO-92
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC546RLRP 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC548B 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC557C 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC638-AP 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC808-16W-E6433 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC327RL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327RL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC327TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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